普克尔斯盒是一种电光器件，用来制作调制器。
普克尔斯盒包含一块电光晶体（上面放置电极），光在晶体中传播。晶体中的相位延迟可以通过施加可变电压进行调制。因此，普克尔斯盒可以看做一个电压控制的波片。普克尔斯盒是电光调制器的基本元件，可用于Q开关激光器。
几何结构和材料
考虑施加电场的方向，普克尔斯盒具有两种不同的几何结构：
1.纵向设计的器件中，电场与穿过电极的光束方向相同。由于需要的驱动电压与孔径无关，因此很容易实现很大的孔径。电极可以是金属环（图1，左图）或者在端面具有金属接触的透明层（右图）。
图1：在纵向电场作用下的普克尔斯盒。电极可以端面（左图）或者外表面（右图）的环。
2.横向设计的器件中，电场与光束方向垂直。施加的电场通过晶体两侧的电极。对于小孔径的情况，器件具有较低的开关电压。
图2：具有横向电场的普克尔斯盒。左侧为体调制器，右侧为波导调制器。
常用于普克尔斯盒的非线性晶体材料为钾磷酸二氘（KD*P = DKDP），钾钛磷（KTP），偏硼酸（BBO）（后者用于平均功率较高或者开关频率很高时），铌酸锂（LiNbO3），钛酸锂（LiTaO3）和磷酸二氢铵（NH4H2PO4, ADP）。
半波电压
普克尔斯盒一个重要的性质是其半波电压Vπ。它是指产生π相位变化所需的电压。在振幅调制器中，施加的电压需要在这一值范围内变化从而工作点能够从ZUI小透射率到ZUI大透射率。
采用横向电场的普克尔斯盒的半波电压与晶体材料，电极间距和施加电场区域的长度有关。开口孔径越大，需要的电极间距越大，需要的电压也越大。
施加纵向电场的普克尔斯盒中，晶体长度不太相关，因为给定电压情况下，长度短会提高电场强度。不用增加半波电压的情况下也可以得到更大的孔径。
通常的普克尔斯盒的半波电压为几百甚至几千伏，高电压放大器需要的调制深度也很大。对于很高非线性的晶体材料（例如LiNbO3）和电极间距很小的集成光学调制器来说，需要相对较小的半波电压，但是这种器件具有有限的功率处理能力。
图3：采用KDP的普克尔斯盒，可用作固态激光器中的Q开关。
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