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产品介绍
用于产生太赫兹THz的GaSe（硒化镓）晶体显示出高达41 THz的大带宽。GaSe是负单轴层状半导体，具有62 m点组的六边形结构，在300 K时的直接带隙为2.2eV。GaSe晶体具有高损伤阈值，较大的非线性光学系数（54 pm / V），合适的透明范围和低吸收系数，这使其成为宽带中红外电磁波产生的替代解决方案。由于使用低于20 fs的激光源产生和检测宽带太赫兹，因此与使用薄的ZnTe晶体相比，GaSe发射器-探测器系统的性能可达到相当甚至更好的结果。为了实现频率选择性太赫兹波的产生和检测系统，应使用适当厚度的GaSe晶体。
产品参数
GaSe晶体
Z切割，开裂，未镀膜
尺寸：直径7 mm
厚度：0.01 mm
由于材料结构的原因，可能仅沿（001）平面切割GaSe晶体
津公网安备12010102000950号