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产品介绍
SemiNex的半导体激光管是为激光开发和客户应用寻求先进性能的客户的好选择。这些激光芯片跨越12xx至19xx的InP波长范围提供，并且具有各种功率、腔配置和波长配置。SemiNex可以将其任何激光芯片安装在SemiNex标准封装中，或者SemiNex将与客户合作开发定制封装。SemiNex芯片的应用包括激光雷达、军事瞄准、测距和照明。可根据要求提供自定义波长和配置。
性能特点
- 高性价比
- 高输出功率
- 高动态范围
- 效率高
技术参数
- 产地：美国
- 波长：1320nm（±20）
- 输出功率（CW）*：0.70瓦（±10%）
- 芯片腔长度：2500μm
- 芯片宽度：500μm
- 发射器宽度：5μm
- 发射器高度：1μm
- 光谱宽度：15nm 3dB
- 斜坡效率：0.45W/A
- 快轴分区：30度FWHM
- 慢轴分区：13deg FWHM
- 功率转换效率：20%
- 阈值电流：0.05A
- 工作电流：1.6A
- 工作电压：2.2V
- 重量：0.05g
- 工作温度：-40至60°C
- 储存温度：-40至80°C
产品参数
津公网安备12010102000950号