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产品介绍
SiC提供了极端辐射硬度、近乎的可见失明、低暗电流、高速和低噪声。这些特性使SiC成为用于可见光盲半导体的材料紫外线探测器。按照标准，我们的SiC探测器可以在高达170°C的温度下运行。可提供350°C版本。温度系数也很低，＜0.1%/K。由于低噪声（fA范围内的暗电流），非常低可以可靠地测量紫外线辐照度。光电二极管有七种不同的有源芯片面积，从0.06平方毫米起高达36平方毫米标准版本为宽带UVA-UVB-UVC。四种过滤版本的灵敏度范围更窄。全部的光电二极管有一个密封的金属外壳（TO型），直径为5.5毫米（TO18）或9.2毫米（TO5）另一种选择是2引脚接头（1个隔离，1个接地）或3引脚接头（2个隔离，一个接地用于200nm以下的真空UV测量的SG03系列或用于增强UVA灵敏度范围的6H系列，SMD封装的光电二极管和具有圆形有源的光电二极管用于更均匀的视场。
性能特点
- 紫外宽带（UVA+UVB+UVC）
- 0.50 mm 2检测器区域
- 扁平TO18 密封金属外壳，1个隔离引脚和1个外壳引脚
- 10 µW/cm 2辐照在280 nm（峰值响应率）下产生约 10 μW/cm 2 的电流。8纳安
- 具有PTB的SiC芯片报告了高辐射硬度
技术参数
- 工作温度：-55+170°C
- 储存温度：-55+170°C
- 焊接温度（3s）：260°C
- 反向电压：20V
- 温度系数：＜0.1%/K
- 短路（峰值10µW/cm2）：8.0nA
- 电容：125pF
- 暗电流（1V反向偏置）：1.7fA
- 有效面积：0.50mm2
- 响应范围（S=0.1*Smax）：221-358nm
- max光谱响应波长：280nm
- 产地：德国
产品参数
津公网安备12010102000950号