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产品介绍
InP基雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度的长波长光电二极管。APD可以被认为是光电二极管，通过称为雪崩倍增的内部电流放大机制提供内置的低噪声增益。由于低噪声增益，与基于pin光电二极管的光学接收器相比，APD提供了接收器高灵敏度。Albis 2.5 Gb/s和10 Gb/s APD基于先进的技术，因此设计用于稳健、高产量的制造、均匀的器件特性、可靠性和易于操作。增益特性的低温依赖性允许在-40°C至85°C的宽温度范围内在未调节接收器中使用APD。
性能特点
- ULTRA高速雪崩光电二极管（APD）芯片，具有Y形焊盘布局和集成背面透镜。
- 创新型APD的主要优点是其大的动态范围和高达+5 dBm的高光学损伤阈值。
- 典型的应用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。
- APD提供低噪声乘法和高增益带宽乘积，这使得能够设计高灵敏度28G接收机。
- 在5E-5的BER下，记录灵敏度为-25 dBm。
- 集成的背面透镜将入射光束聚焦在顶部检测区域，从而实现简单有效率的光学耦合。
技术参数
产地：瑞士
光学损伤阈值：高达+5 dBm
响应度：5 A/W
透镜直径：100μm
工作偏压：20 V
低温依赖性：10 mV/°C
焊盘布局：Y形
灵敏度：-25 dBm@ BER of 5E-5
速度：28 Gbd
温度范围：-40°C至85°C
照明：透镜
程序包类型：裸芯片
产品参数
津公网安备12010102000950号