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产品介绍
Amptek将硅片制造引入内部，并改进了工艺。其结果是探测器具有更低的噪声、更低的泄漏电流、更好的电荷收集以及探测器之间的均匀性。这使其成为性能更好的硅漂移探测器。
FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移检测器（SDD），能够在保持分辨率的同时，计数率超过1000000 CPS（每秒计数）。FAST SDD还可与C系列（Si3N4）低能窗一起使用，用于软x射线分析。
与传统SDD不同，FAST SDD在密封的TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）和外部前置放大器，在TO-8封装内部使用互补的金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）代替JFET。这降低了电容，提供了更低的串联噪声，并在极短的峰值时间内提高了分辨率。FAST SDD使用相同的检测器，但前置放大器在短峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率能够隔离/分离具有接近能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。峰值时间短也会提高计数率；更多的计数提供更好的统计数据。
性能特点
- 25 mm2的活动面积校准为17 mm2
- 也可提供70 mm2准直至50 mm2
- 9 keV时的122 eV FWHM分辨率
- 计数率>1000000 CPS
- 高峰值与背景比–26000/1
- 前置放大器输出上升时间<35 ns
- 窗口：Be（5密耳）12.5µm，或C系列（Si3N4）
- 抗辐射
- 探测器厚度500µm
- TO-8包装
- 冷却ΔT>85 K
- 多层准直器
技术参数
- 探测器类型：带CMOS前置放大器的硅漂移检测器（SDD）
- 探测器尺寸：25 mm2-校准至17 mm2，也可提供70mm2-准直至50mm2
- 硅厚度：500µm或1000um可用
- 准直器内部：多层准直器（ML）
- 4µs峰值时间下5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM时的能量分辨率（保证）
- 峰值与背景：20000:1（计数比从5.9 keV到1 keV）（典型）
- 探测器窗口选项：铍（Be）：0.5密耳（12.5µm）或0.3密耳（8µm），C系列（Si3N4）低能耗窗户
- 电荷敏感型前置放大器：CMOS
- 增益稳定性：<20 ppm/°C（典型）
- 总功率：<2瓦
- 设备寿命：通常为5至10年，具体取决于使用情况
- 操作条件：-35°C至+80°C
- 长期储存：在干燥环境中储存10年以上
- 典型储存和运输：-40°C至+85°C，湿度10至90%，不凝结
- 产地：美国
-尺寸
- 探测器模块：TO-8封装（0.640英寸高，包括销，0.600英寸直径）
- XR100盒：3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）
- X-123箱：3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）
- 原始设备制造商：配置各不相同
-重量
- 探测器模块：0.14箱（4.1克）
- XR100盒：4.4盎司（125克）
- X-123箱：6.3盎司（180克）
- 原始设备制造商：配置各不相同
产品应用
- 超快速台式和手持式XRF分析仪
- 作为EDS系统的一部分，在SEM中扫描/绘制样品
- 在线过程控制
- X射线分拣机
- OEM
产品参数
津公网安备12010102000950号