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产品介绍
Teledyne e2v微控制器产品包括：基于Power Architecture e200内核的32位Qoriva微控制器，可运行max.264 MHz。这些设备包括闪存和RAM存储器，以及许多外部接口，使其适用于航空航天和国防应用。
凭借Teledyne e2v在环境和性能提升技术方面的专业知识，这些微控制器可以用于各种高可靠性应用。
性能特点
- 中断控制器（INTC）
- 调频锁相环（FMPLL）
- 用于从多个总线主控器并行访问外围设备、闪存或RAM的交叉开关架构
- 用于校准和应用程序开发的外部总线接口（EBI）（并非所有软件包都可用）
- 系统集成单元（SIU）
- 纠错状态模块（ECSM）
- 四个沙漠串行外围接口（DSPI）模块
- 三个增强型串行通信接口（eSCI）
- 模块
- 四个控制器局域网（FlexCAN）模块
- 双通道FlexRay控制器
- 符合IEEE-ISTO5001-2003/5001-2008标准的Nexus开发接口（NDI）
- 符合联合测试行动小组（JTAG）（IEEE 1149.1）的设备和板测试支持
- 片上电压调节器控制器将核心逻辑的电源电压降至2 V
技术参数
产地：英国
1.2 V核心电源电压：-0.3…2.0 V
SRAM待机电压：-0.3…6.4V
时钟合成器电压：-0.3…5.3 V
I/O电源电压（I/O缓冲器和前置驱动器）：–0.3…5.3 V
模拟电源电压：-0.3…6.4 V
I/O电源电压（快速I/O焊盘）：-0.3…5.3V
I/O电源电压（中等I/O焊盘）：-0.3…6.4V
电压调节器输入电源电压：-0.3…6.4V
模拟参考高压：-0.3…6.4V
VSS到VSSA差分电压：–0.1…0.1 V
VREF差分电压：-0.3…6.4V
VRL至VSSA差分电压：-0.3…0.3 V
VDD33至VDDSYN差分电压：–0.1…0.1 V
VSSSYN至VSS差分电压：–0.1…0.1 V
数字输入电流（每个引脚，适用于所有数字引脚）：max.-3 11...3mA
模拟输入电流（每个引脚，适用于所有模拟引脚）：max.-3…3mA
工作温度范围：-55.0℃…150.0℃（模具接合温度）
储存温度范围：–55.0℃…150.0℃
湿度敏感度等级：3
产品参数
津公网安备12010102000950号