H 封装激光二极管阵列专为直接二极管应用(如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,工作频率为 0.1ms 至 300ms 长脉冲持续时间,每条工作功率高达 150 瓦。标准组件提供 8 bar、10 bar和 12 bar垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。设计小巧紧凑,采用非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更加经济省时。封装采用 AuSn 焊料和膨胀匹配材料组装,更加坚固耐用,提高了可靠性。
产地:美国
波长:780 - 980 nm
工作模式:QCW
阵列峰值输出功率:150 - 1800 W
条形发射长度:10 mm
条数:多达 12 #
工作电流:140 A
工作电压(每条):2 V
功率转换效率:55
条对条间距:1.65 mm
脉冲宽度:高达 300 ms
占空比:高达 25
光束发散FWHM:33×6 °
光束发散FWHM(透镜):1×6 °