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产品介绍
可以在周期性极化晶体上制造波导，形成频率转换波导，如 PPLN 块状晶体中的 PPLN 波导。PPLN 块状芯片易于使用，可处理更高的光功率（高达几瓦特或更高）；PPLN 波导芯片可提供更高的转换效率，因此可实现 PPLN 块状芯片无法实现的多种应用（尽管在功率处理方面存在限制，在耦合优化的实际对准方面也具有挑战性）。
性能特点
- 为您的“快速插入式 ”非线性混频应用提供标准库存
- 可用于上变频（SHG/SFG）和下变频（DFG/OPA/OPG）混频配置
- 可用于可见光到中红外发生器；如需紫外和太赫兹发生器
- 可用于均匀或啁啾 QPM 结构
技术参数
产地：中国台湾
泵 λ：900-1000 nm
输出 λ：450-500 nm
MFD：4.90x4.09um^2
数值孔径：0.13x0.15
传播损耗：0.9 (0.7) dB/cm
归一化效率：160%/W/cm^2(250%/W/cm^2)%/W/cm^2
温度斜率：~13˘C/nm
内核：LiNbO3
波导类型：质子内扩散波导、脊波导
块状晶体：PPLN
产品参数
津公网安备12010102000950号