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Marana-X 是 Andor 为直接 EUV 和软 X 射线应用量身定制的开创性 sCMOS 平台。手工打造，提供好的性能和多功能性 Marana-X 在不到 50 毫秒的时间内读取 4.2 兆像素高分辨率阵列，同时保持低的读取噪声；比类似分辨率的 CCD 探测器快数百倍。
与现有的 CCD 相比，新型 Marana-X sCMOS 在 EUV-1 keV 能量范围内具有更高的量子效率。 Marana-X 、的量子效率与其CMOS 技术相得益彰，可通过 74 fps 全帧快速实现实验时间的更小化和更大的数据吞吐量。
- 高达 99% 的 QE 和低噪声：适合光不足测量的最大信噪比。 更快地实现高对比度。
- 真空冷却至 -45℃：非常微弱的信号需要更低的本底噪声和更长的曝光时间：不要受到相机热噪声的限制
- 2 百万像素：高像素分辨率，在扩展视野范围内保持图像清晰度。
- 未镀膜的背照式 sCMOS：Marana-X 采用了无涂层背照式 sCMOS 传感器，可实现EUV - 软 X 射线检测。
- 扩展动态范围 (EDR) 模式：在整个动态范围内“一次定量”，在同一图像中捕获高强度和低强度图像。
- 7% 线性度：在整个信号范围内的定量精度。
- 标配风扇和液体冷却：液体冷却可实现更大灵敏度
传感器类型：背照式科学 CMOS
阵列尺寸：2048 (W) x 2048 (H)
4.2 百万像素
像素尺寸：6.5 x 6.5 μm
图像区：13.3 毫米 x 13.3 毫米
（对角线 18.8 毫米）
读出模式：滚动快门
像素读出率： 310 MHz（快速高动态范围模式，16 位）
180 MHz（低噪声模式，12 位）
量子效率：高达 99%
读取噪声 (e-) 中值：1.6 e-（快速高动态范围模式，16 位）
1.2 电子-（低噪声模式，12 位）
传感器工作温度
风冷：-25°C（max.30°C 环境温度）
水冷/液冷：-45°C（@16°C 水）
暗电流
风冷 (@-25°C) ：0.15 e-/像素
水冷/液冷 (@ -45°C) ：0.10 e-/像素
有效区域像素井深度：
55 000 e-（快速高动态范围模式，16 位）
1800 e-（低噪声模式，12 位，位深度受限）
动态范围：34 000:1（快速高动态范围模式，16 位）
数据范围：16 位（快速高动态范围模式）
12 位（低噪声模式）
线性：> 99.7%
PRNU：< 0.5% (@半光范围)
感兴趣区域 (ROI) ：用户可定义，1 像素粒度，
Min.尺寸 9（宽）x 1（高）
预定义 ROI：1608 x 1608、1200 x 1200、1024×1024、512×512、128×128
像素合并（在 FPGA 上）：2 x 2、3 x 3、4 x 4、8 x 8（也提供用户可定义的合并）
真空兼容性：>10 mbar
I/O
O：Fire Row 1, Fire Row n, Fire All, Fire Any, Arm
I：外部
触发模式：内部、外部、外部启动、外部曝光、软件
软件曝光事件：开始曝光 - 结束曝光（第 1 行），开始曝光 - 结束曝光（第 n 行）
图像时间戳精度： 25 ns
PC 接口：USB 3.0和 CoaXPress
安装法兰：DN100CF (ConFlat) 6” O.D.固定法兰提供 M8 或 5/16 UNC 螺纹孔
原位射线照相
断层扫描
光谱学
高光谱成像
HHG 源表征
EUV 投影仪
EUV 光刻
津公网安备12010102000950号