分布式Bragg反射器(DBR)二极管激光器是可调谐的单模二极管激光器。激光芯片的典型几何尺寸为1000µm x 500µm x 200µm(长x宽x高)。激光芯片是通过化合物半导体材料的MOVPE生长的。光学增益是由双重异质结构提供的,该结构包含多个用于电子限制的量子阱。典型的发射器宽度范围为3µm至7µm。单模发射是由带有激光芯片的Bragg光栅强制执行的。由于激光材料和周围空气的折射率不同,激光芯片的表面充当腔镜。激光芯片的背面刻有高反射涂层。通过同步改变布拉格电流和激光器的相位段,可以调节DBR激光器的发射波长。分布式Bragg反射器(DBR)二极管激光器的功率在1063nm时高达100mW,在1083nm时高达80mW。这些二极管激光器是纵向和空间单模的。可以将它们调到max.100GHz的无跳模模式。
波长:767nm
功率:60mW
调整(总计):2nm
安装:TO8
芯片长度:1300µm
发射极宽度:3 x 1.5 µm
模式结构:单纵,基本横向模式
储存温度:-40℃至+80℃
工作期间的外壳温度:-20℃至+50℃