INFINEON晶体管IMBG120R350M1H

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  • 品牌名称:INFINEON
  • 规格型号:IMBG120R350M1H
产品介绍

采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封装的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能和工作可靠性。CoolSiC 技术的低功率损耗与全新 1200 V 优化 SMD 封装中的 .XT 互连技术相结合,在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现了效率和被动冷却潜力。开关损耗低,短路耐受时间为 3 µs,完全可控的 dV/dt,基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V,对寄生导通具有坚固性,可采用 0 V 关断栅极电压,稳健的体二极管可实现硬换向,采用 .XT 互连技术,具有同类良好的散热性能,封装爬电距离和间隙大于 6.1 毫米,感应引脚可优化开关性能。

性能特点

效率提高

实现更高频率

提高功率密度

减少冷却工作量

降低系统复杂性和成本

SMD 封装可直接集成到印刷电路板上,自然对流冷却,无需额外的散热片

技术参数

产地:德国

封装:TO-263-7

漏源电压VDS :1200 V

直流漏极电流ID TC = 25°C, Rth(j-c,max):4.7 A

脉冲漏极电流,tp 受 Tvjmax 限制,VGS = 18V:17 A

RDS(onTvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V:350 mΩ

虚拟结温Tvj:-55 ℃ 至175 ℃

焊接温度回流焊接(MSL1,符合 JEDEC J-STD-020 标准):260 ℃

MOSFET/ 本体二极管热阻,结点 - 外壳Rth(j-c:1.8 - 2.3 K/W

热阻,结点 - 环境Rth(j-a):62 K/W

输入电容:196 pF

输出电容:9 pF

反向电容:0.94 pF

Coss储存能量:3.8 μJ

栅极总电荷:5.9 nC

栅极至源极电荷:1.5 nC

栅极至漏极电荷:1.2 nC

产品尺寸

产品应用

电动汽车充电、工业电机驱动和控制、光伏、不间断电源 (UPS)

产品参数

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