采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封装的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能和工作可靠性。CoolSiC 技术的低功率损耗与全新 1200 V 优化 SMD 封装中的 .XT 互连技术相结合,在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现了效率和被动冷却潜力。开关损耗低,短路耐受时间为 3 µs,完全可控的 dV/dt,基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V,对寄生导通具有坚固性,可采用 0 V 关断栅极电压,稳健的体二极管可实现硬换向,采用 .XT 互连技术,具有同类良好的散热性能,封装爬电距离和间隙大于 6.1 毫米,感应引脚可优化开关性能。
效率提高
实现更高频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本
SMD 封装可直接集成到印刷电路板上,自然对流冷却,无需额外的散热片
产地:德国
封装:TO-263-7
漏源电压VDS :1200 V
直流漏极电流ID TC = 25°C, Rth(j-c,max):4.7 A
脉冲漏极电流,tp 受 Tvjmax 限制,VGS = 18V:17 A
RDS(onTvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V:350 mΩ
虚拟结温Tvj:-55 ℃ 至175 ℃
焊接温度回流焊接(MSL1,符合 JEDEC J-STD-020 标准):260 ℃
MOSFET/ 本体二极管热阻,结点 - 外壳Rth(j-c):1.8 - 2.3 K/W
热阻,结点 - 环境Rth(j-a):62 K/W
输入电容:196 pF
输出电容:9 pF
反向电容:0.94 pF
Coss储存能量:3.8 μJ
栅极总电荷:5.9 nC
栅极至源极电荷:1.5 nC
栅极至漏极电荷:1.2 nC
电动汽车充电、工业电机驱动和控制、光伏、不间断电源 (UPS)