产品中心
产品介绍
超发光二极管（SLD或超发光二极管）是基于超发光发射宽带光辐射的光电子半导体器件。在结构方面，它们类似于激光二极管，包含一个电驱动的p-n结和一个光波导，但超发光二极管故意缺乏光反馈，因此不会发生激光作用。光学反馈可能导致谐振器模式的形成，从而导致光谱中的明显结构和/或光谱变窄，通过相对于波导倾斜刻面来抑制，并且可以用抗反射涂层进一步抑制。从本质上讲，超辐射发光二极管是一种没有输入信号的半导体光放大器，其中进入波导模式的弱自发辐射之后是强激光放大（因此，这被称为“放大自发辐射（ASE）”）。
性能特点
- 宽光带宽
- 客户可用波长
- SM/或PM光纤的高输出功率
选型指南
技术参数
产地：美国
中心波长：740…760 nm
3dB带宽：10 nm
SM光纤输出功率：3 mW
频谱调制深度hp-p：0.10 dB，max.0.20 dB
工作电流：120 mA，max.150 mA
工作温度：-20...70°C
储存温度：–40...85°C
TEC驱动电流：1.5A
TEC驱动电压：3.6 V
电流：max.200mA
热敏电阻电阻：10kΩ@25°C
SLD芯片温度设置：25°C
光纤类型：SMF/PMF/MMF
纤维护套：250μm紧密缓冲带，900μm松套管
包装：14针DIL/14针BUT/8针BUT
引线焊料温度：260°C，持续10秒
产品尺寸
产品应用
宽带光源
光纤传感器（FOS）
OCT系统照明
产品参数
津公网安备12010102000950号